半导体的电阻率与温度

半导体的电阻率介于金属和绝缘体之间： 室温时约在1mΩ·cm~1GΩ·cm之间(上限按谢嘉奎《电子线路》取值，还有取其1/10或10倍的)。中文名称半导体电阻率电阻率范围间于金属和绝缘体之间室温1mΩ·cm~1GΩ·cm之间晶向电阻率与晶向有关。对请看课本第55页表3-1《一些材料的电阻率》，试分析最适合做导线的经济材料是。第三章《恒定电流》第二节《电阻》考纲要求：电阻和电阻定律电阻率与温度的关系半导体

在露的电阻体上，紧压着一至两个可移金属触点。触点位置确定电阻体任一端与触点间的阻值。半导体电阻率与温度的关系决定电阻率温度关系的主要因素是随着温度的升高，金属的电阻率增加，使其具有正的电阻温度系数。半导体的电阻温度系数是负的。非本征半导体的电阻率大于本征半导体。半导体电阻率的温度依赖性对其在电子学中的应用起着重要的作用电导率描述了电流通过

半导体电阻率与温度的关系： 决定电阻率温度关系的主要因素是载流子浓度和迁移率随温度的变化关系。在低温下：由于载流子浓度指数式增大(施主或受主杂质不断电离),而迁移率也是增大的(电离杂质散射作用减弱之故),